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新品速递

ROHM Semiconductor SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比,此优化设计减少了杂散电感。另外,为了防止发生过热情况,还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

特性

  • 开关速度快且功耗低:
    • 较低的开关损耗可实现高频操作
    • 与同类IGBT模块相比,开关损耗大幅降低
  • 更安全的设计支持更大的电流:
    • 集成式热敏电阻可防止发生若热现象
  • 最高结温:175°C
  • 正RDS(on)系数支持轻松实现并行操作
  • 关断期间无尾电流
  • 1700V VDSS
  • 80A至600A的额定ID
  • 有Spice和热型号
  • 第三代沟槽技术提供低输入电容  (Ciss) 和低栅极电荷 (Qg)
  • 第二代硅平面技术可提供更长的短路耐受时间
  • 对体二极管没有限制

应用

  • 感应加热用逆变器
  • 电机驱动逆变器
  • 双向转换器
  • 太阳能逆变器
  • 功率调节器

开关损耗对比图

Chart - ROHM Semiconductor SiC功率模块

视频