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ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor SiC功率模块

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ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比，此优化设计减少了杂散电感。另外，为了防止发生过热情况，还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

特性

开关速度快且功耗低：
- 较低的开关损耗可实现高频操作
- 与同类IGBT模块相比，开关损耗大幅降低
更安全的设计支持更大的电流：
- 集成式热敏电阻可防止发生若热现象
最高结温：175°C
正RDS(on)系数支持轻松实现并行操作

关断期间无尾电流
1700V V_DSS
80A至600A的额定I_D
有Spice和热型号
第三代沟槽技术提供低输入电容 (Ciss) 和低栅极电荷 (Qg)
第二代硅平面技术可提供更长的短路耐受时间
对体二极管没有限制

应用

感应加热用逆变器
电机驱动逆变器
双向转换器

太阳能逆变器
功率调节器

开关损耗对比图

Chart - ROHM Semiconductor SiC功率模块

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